240nm 100mW 深紫外領域のUV光源
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/news_data/h/h1/news6/2010/100927_1.htm
図1: AlGaN/AlN量子井戸構造
「素子構造の概略を図1に示します。サファイア基板上に600nmのAlN、さらにその上にAlGaN/AlN量子井戸構造を京都大学独自の技術により積層 しました。AlGaN発光層の膜厚は1nm、それをサンドイッチするAlNの膜厚は15nm、これらの積層を8回繰り返した多重量子井戸構造としていま す。この表面から、電子線を照射すると、照射した電子がサンプルに浸透していきます。浸透した電子は、電子同士や構成原子との衝突によってエネルギーを失 うのですが、その際に、量子井戸内に高密度に電子・正孔対が形成され、それが再結合して消滅するときに発光します。」「重要なことは、電子線励起により、p型層、n型層を用いることなく発光が得られることです。」
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(2010年9月27日 読売新聞)
京大工学研究科の川上養一教授らは、2種類の薄い窒化物半導体の層を、交互に重ねた構造を持つ試料を作製。これに電子線を当てると、正孔という電子 などが飛び出した穴が多数でき、再び穴が結合した時に、出力100ミリ・ワットの紫外線を出すことができた。この領域では世界最高の出力で、研究チームは 「1〜2年後の製品化を目指す」としている。
27日の英科学誌「ネイチャー・フォトニクス」電子版に発表する。
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http://www.asahi.com/kansai/sumai/news/OSK201009270058.html
投入した電力を光として出力する効率:40%
波長300ナノメートル以下で発光するこれまでの紫外線LEDは、出力は10ミリワット程度で、効率も2〜3%だった。
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京都新聞
http://www.kyoto-np.co.jp/environment/article/20100927000028
新たに開発された半導体光源からの紫外線を受けて光る蛍光体(川上養一教授提供)
窒化アルミニウムと窒化ガリウムアルミニウムを1~15ナノメートル(ナノは10億分の1)間隔で交互に8回積み重ねた半導体に電子線を当てた。
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