« 2008年6月 | トップページ | 2008年8月 »

2008年7月

2008年7月 5日 (土)

InAlGaN 波長200nm~350nm帯の深紫外LED

LEDは1991年ごろまでは、GaAlAs(ガリウム・アルミニウム・砒(ひ)素)系の

λ=660nm前後のLEDしかなく、イメージスキャナの光源としては一部(★1)を除いて実用化されていませんでした。

しかし、日亜化学工業の研究者、中村修二さんの開発によりGaN(窒化ガリウム)系のLEDが実用化され一気にフルカラーの時代が到来しました。

それでも、縮小光学系の光源としては、まだまだ光量が不足しております。

弊社では紫外線蛍光イメージスキャナ FLSCAN を製品化しておりますが、

当時の比較では、λ=360nm光源を敷き詰めて配置しても、紫外線冷陰極蛍光管(キセノンガス封入)に比べて、光量は、1/5程度でした。

今回の平山秀樹氏、椿健治氏の成果、インジウム(In)を数%添加したAlGaNの実用化が待たれます。

----------
http://www.riken.jp/r-world/info/release/press/2008/080704/detail.html

独立行政法人理化学研究所(野依良治理事長、平山秀樹)と
松下電工株式会社(畑中浩一取締役社長、先行技術開発研究所 微細加工プロセス研究室、椿健治)は、
殺菌効果が高い波長280nm(ナノメートル:10億分の1メートル)の紫外光を、
世界最高出力10mW(ミリワット:1,000分の1ワット)で発する
発光ダイオードの開発に成功しました。

(つづく。。)

-----

続きを読む "InAlGaN 波長200nm~350nm帯の深紫外LED" »

« 2008年6月 | トップページ | 2008年8月 »

2018年9月
            1
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30            
無料ブログはココログ