InAlGaN 波長200nm～350nm帯の深紫外LED

LEDは１９９１年ごろまでは、GaAlAs（ガリウム・アルミニウム・砒（ひ）素）系の

λ＝６６０ｎｍ前後のＬＥＤしかなく、イメージスキャナの光源としては一部（★１）を除いて実用化されていませんでした。

しかし、日亜化学工業の研究者、中村修二さんの開発によりGaN（窒化ガリウム）系のLEDが実用化され一気にフルカラーの時代が到来しました。

それでも、縮小光学系の光源としては、まだまだ光量が不足しております。

弊社では紫外線蛍光イメージスキャナ　FLSCAN　を製品化しておりますが、

当時の比較では、λ＝３６０ｎｍ光源を敷き詰めて配置しても、紫外線冷陰極蛍光管（キセノンガス封入）に比べて、光量は、１／５程度でした。

今回の平山秀樹氏、椿健治氏の成果、インジウム（In)を数％添加したAlGaNの実用化が待たれます。

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http://www.riken.jp/r-world/info/release/press/2008/080704/detail.html

独立行政法人理化学研究所（野依良治理事長、平山秀樹）と
松下電工株式会社（畑中浩一取締役社長、先行技術開発研究所　微細加工プロセス研究室、椿健治）は、
殺菌効果が高い波長280nm（ナノメートル：10億分の1メートル）の紫外光を、
世界最高出力10mW（ミリワット：1,000分の1ワット）で発する
発光ダイオードの開発に成功しました。

（つづく。。）

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