InAlGaN 波長200nm~350nm帯の深紫外LED
LEDは1991年ごろまでは、GaAlAs(ガリウム・アルミニウム・砒(ひ)素)系の
λ=660nm前後のLEDしかなく、イメージスキャナの光源としては一部(★1)を除いて実用化されていませんでした。
しかし、日亜化学工業の研究者、中村修二さんの開発によりGaN(窒化ガリウム)系のLEDが実用化され一気にフルカラーの時代が到来しました。
それでも、縮小光学系の光源としては、まだまだ光量が不足しております。
弊社では紫外線蛍光イメージスキャナ FLSCAN を製品化しておりますが、
当時の比較では、λ=360nm光源を敷き詰めて配置しても、紫外線冷陰極蛍光管(キセノンガス封入)に比べて、光量は、1/5程度でした。
今回の平山秀樹氏、椿健治氏の成果、インジウム(In)を数%添加したAlGaNの実用化が待たれます。
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http://www.riken.jp/r-world/info/release/press/2008/080704/detail.html
独立行政法人理化学研究所(野依良治理事長、平山秀樹)と
松下電工株式会社(畑中浩一取締役社長、先行技術開発研究所 微細加工プロセス研究室、椿健治)は、
殺菌効果が高い波長280nm(ナノメートル:10億分の1メートル)の紫外光を、
世界最高出力10mW(ミリワット:1,000分の1ワット)で発する
発光ダイオードの開発に成功しました。
(つづく。。)
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